导体与AI芯片巨头对决与技术突围

1. 高通亮剑数据中心,AI 芯片直击英伟达软肋


当地时间 10 月 27 日,高通正式推AI200 与 AI250 机架级人工智能加速器,高调进军数据中心 AI 芯片市场,直接向英伟达发起挑战。


其中 2026 年上市的 AI200 单卡搭载 768GB LPDDR 内存,是英伟达最新 GB300 显卡 288GB HBM3e 内存的 2.6 倍

虽聚焦推理场景而非模型训练,但凭借行业领先的内存容量,可适配大参数量 AI 模型的运行需求。


更具颠覆性的是 2027 年推出的 AI250,将首发 “近存储计算” 架构

宣称有效内存带宽提升 10 倍以上,功耗显著降低,且总体拥有成本(TCO)具备明显优势。


受此消息刺激,高通股价当日暴涨超 11%,创 2024 年 7 月以来新高,同时宣布将效仿英伟达、AMD 的迭代节奏,实现每年推出一款新算力芯片的目标。


2. 国产半导体多点突破:量子芯片材料与存储技术双进阶


国内半导体领域近期频传捷报:澜起科技于 10 月 27 日宣DDR5 第四子代寄存时钟驱动器芯片(RCD04)实现量产

该芯片作为服务器内存模组的核心组件,可进一步提升数据传输速率与稳定性,为高端算力设备提供关键支撑。


与此同时,总投资 120 亿元的安徽晶镁光罩项目正式开工,作为独立第三方半导体高端光罩项目

其落地将填补国内高端光罩领域产能缺口,缓解芯片制造环节的 “卡脖子” 风险。


在先进制程领域,上海积塔创能半导体有限公司完成注册,注册资本达 7.2 亿元

重点布局功率半导体等特色工艺,进一步完善国内半导体制造生态。


3. 台积电加速全球布局,日本二厂锁定 6 纳米产能


台积电近日与日本熊本县签署立地协定,明确熊本二厂将2027 年 12 月正式投产 6 纳米芯片


此举延续了台积电在海外扩产的战略节奏,6 纳米制程作为当前消费电子与汽车电子的主流选择

产能释放后将优先满足索尼、丰田等日本本土企业的芯片需求,同时辐射东亚供应链。


值得注意的是,以色列 AI 新创公司 NextSilicon 也选择台积电 5 纳米制程生产其 Maverick-2 高速运算加速器芯片

显示出台积电在先进制程领域仍牢牢占据客户信任优势,而高通新发布的 AI 芯片代工厂选择尚未公布,业内猜测三星与台积电将展开激烈争夺。




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